Name: SIHA11N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHA11N80AE-GE3-ND
Price: 535.7 JPY
Availability: OutOfStock

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SIHA11N80AE-GE3
DigiKey製品番号	742-SIHA11N80AE-GE3-ND
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIHA11N80AE-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 800V 8A TO220
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 800 V 8A（Tc） 31W（Tc）スルーホール TO-220フルパッッケージ
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SIHA11N80AE-GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 42 nC @ 10 V
シリーズ E	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 804 pF @ 100 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 31W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220フルパッッケージ
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 8A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3フルパッッケージ
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SIHA11
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 450ミリオーム @ 5.5A、10V

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