
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
SIA906EDJ-T1-GE3 | |
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DigiKey製品番号 | SIA906EDJ-T1-GE3TR-ND - テープ&リール(TR) SIA906EDJ-T1-GE3CT-ND - カット テープ(CT) SIA906EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIA906EDJ-T1-GE3 |
商品概要 | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8 |
メーカーの標準リードタイム | 19 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 20V 4.5A 7.8W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SIA906EDJ-T1-GE3 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | Vishay Siliconix | |
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | 2 Nチャンネル(デュアル) | |
FET機能 | 論理レベルゲート | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 20V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 4.5A | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 46ミリオーム @ 3.9A、4.5V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 1.4V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 12nC @ 10V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 350pF @ 10V | |
電力 - 最大 | 7.8W | |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6デュアル | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6デュアル | |
ベース品番 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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1 | ¥140.00000 | ¥140 |
10 | ¥87.50000 | ¥875 |
100 | ¥56.73000 | ¥5,673 |
500 | ¥43.51000 | ¥21,755 |
1,000 | ¥39.24500 | ¥39,245 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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3,000 | ¥28.74900 | ¥86,247 |
6,000 | ¥26.84033 | ¥161,042 |
単価(消費税抜き): | ¥140.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥154.00000 |