Name: SI8823EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8823EDB-T2-E1TR-ND
Price: 95.7 JPY
Availability: InStock

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SI8823EDB-T2-E1
DigiKey製品番号	SI8823EDB-T2-E1TR-ND - テープ＆リール（TR） SI8823EDB-T2-E1CT-ND - カットテープ（CT） SI8823EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI8823EDB-T2-E1
商品概要	MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
メーカーの標準リードタイム	13 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 20 V 2.7A（Tc） 900mW（Tc）面実装 4-MICRO FOOT®（0.8x0.8）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET® Gen III
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	2.7A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	95ミリオーム @ 1A、4.5V
Id印加時のVgs（th）（最大）	800mV @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	±8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	580 pF @ 10 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	900mW（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	4-MICRO FOOT®（0.8x0.8）
パッケージ/ケース	4-XFBGA
ベース品番	SI8823

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