Name: SI7898DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7898DP-T1-E3TR-ND
Price: 452.1 JPY
Availability: InStock

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SI7898DP-T1-E3
DigiKey製品番号	SI7898DP-T1-E3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI7898DP-T1-E3CT-ND - カットテープ（CT） SI7898DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI7898DP-T1-E3
商品概要	MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 150 V 3A（Ta） 1.9W（Ta）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI7898DP-T1-E3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	150 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	3A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	85ミリオーム @ 3.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	21 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.9W（Ta）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース	PowerPAK® SO-8
ベース品番	SI7898