Name: SI7846DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7846DP-T1-E3TR-ND
Price: 711.7 JPY
Availability: InStock

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SI7846DP-T1-E3
DigiKey製品番号	SI7846DP-T1-E3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI7846DP-T1-E3CT-ND - カットテープ（CT） SI7846DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI7846DP-T1-E3
商品概要	MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
メーカーの標準リードタイム	38 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 150 V 4A（Ta） 1.9W（Ta）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI7846DP-T1-E3 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 50ミリオーム @ 5A、10V
メーカー Vishay Siliconix	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 250µA
シリーズ TrenchFET®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 36 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 1.9W（Ta）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 150 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 4A（Ta）	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SI7846