Name: SI7772DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7772DP-T1-GE3TR-ND
Price: 234.3 JPY
Availability: InStock

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SI7772DP-T1-GE3
DigiKey製品番号	SI7772DP-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI7772DP-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SI7772DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI7772DP-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
メーカーの標準リードタイム	38 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 35.6A（Tc） 3.9W（Ta）、29.8W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI7772DP-T1-GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 28 nC @ 10 V
シリーズ SkyFET®, TrenchFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1084 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.9W（Ta）、29.8W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 35.6A（Tc）	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SI7772
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 13ミリオーム @ 15A、10V

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関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
CSD17327Q5A	Texas Instruments	1,565	296-CSD17327Q5ACT-ND	¥274.00000	類似
RRU1LAM4STR	Rohm Semiconductor	3,428	RRU1LAM4SCT-ND	¥125.00000	類似
RS1E130GNTB	Rohm Semiconductor	2,455	RS1E130GNTBCT-ND	¥160.00000	類似
RS1E150GNTB	Rohm Semiconductor	2,225	RS1E150GNTBCT-ND	¥158.00000	類似
RXH070N03TB1	Rohm Semiconductor	2,549	RXH070N03TB1CT-ND	¥253.00000	類似

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カットテープ（CT） & Digi-Reel®

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テープ＆リール（TR）

メーカーの標準パッケージ

単価（消費税抜き）:	¥213.00000
単価（消費税込み）:	¥234.30000

SI7772DP-T1-GE3