
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
SI7252DP-T1-GE3 | |
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DigiKey製品番号 | SI7252DP-T1-GE3TR-ND - テープ&リール(TR) SI7252DP-T1-GE3CT-ND - カット テープ(CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SI7252DP-T1-GE3 |
商品概要 | MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8 |
メーカーの標準リードタイム | 28 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 100V 36.7A 46W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SI7252DP-T1-GE3 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | Vishay Siliconix | |
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | 2 Nチャンネル(デュアル) | |
FET機能 | 論理レベルゲート | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 100V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 36.7A | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 18ミリオーム @ 15A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 3.5V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 27nC @ 10V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 1170pF @ 50V | |
電力 - 最大 | 46W | |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8デュアル | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8デュアル | |
ベース品番 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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1 | ¥461.00000 | ¥461 |
10 | ¥298.90000 | ¥2,989 |
100 | ¥206.09000 | ¥20,609 |
500 | ¥170.34600 | ¥85,173 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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3,000 | ¥139.17233 | ¥417,517 |
単価(消費税抜き): | ¥461.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥507.10000 |