SI4922BDY-T1-GE3 は生産中止品です。現在は生産されていません。
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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SI4922BDY-T1-GE3

DigiKey製品番号
SI4922BDY-T1-GE3TR-ND - テープ&リール(TR)
SI4922BDY-T1-GE3CT-ND - カット テープ(CT)
SI4922BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー
メーカー製品番号
SI4922BDY-T1-GE3
商品概要
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 30V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
データシート
 データシート
製品属性
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カテゴリ
Id印加時のVgs(th)(最大)
1.8V @ 250µA
メーカー
Vishay Siliconix
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
62nC @ 10V
シリーズ
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
2070pF @ 15V
梱包形態
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
電力 - 最大
3.1W
部品状況
生産中止品
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
技術
MOSFET(金属酸化物)
取り付けタイプ
面実装
構成
2 Nチャンネル(デュアル)
パッケージ/ケース
8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
30V
サプライヤデバイスパッケージ
8-SOIC
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
8A
ベース品番
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
16ミリオーム @ 5A、10V
環境および輸出に関する分類
製品に関する質問と回答
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品番メーカー 在庫数量DigiKey製品番号 単価 代替品のタイプ
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生産中止品
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