Name: SI4894BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4894BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 364.1 JPY
Availability: InStock

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SI4894BDY-T1-GE3
DigiKey製品番号	742-SI4894BDY-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SI4894BDY-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SI4894BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI4894BDY-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
メーカーの標準リードタイム	38 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 8.9A（Ta） 1.4W（Ta）面実装 8-SOIC
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 38 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1580 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 1.4W（Ta）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 8.9A（Ta）	パッケージ/ケース 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SI4894
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 11ミリオーム @ 12A、10V

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関連リソース

代替品リスト（6）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
AO4468	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	6,068	785-1038-1-ND	¥153.00000	類似
BSO110N03MSGXUMA1	Infineon Technologies	176	BSO110N03MSGXUMA1CT-ND	¥199.00000	類似
DMN4800LSSL-13	Diodes Incorporated	3,551	DMN4800LSSL-13DICT-ND	¥131.00000	類似
FDS6670A	onsemi	12,120	FDS6670ACT-ND	¥216.00000	類似
FDS6690A	onsemi	9,888	FDS6690ACT-ND	¥214.00000	類似