
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
SI4599DY-T1-GE3 | |
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DigiKey製品番号 | SI4599DY-T1-GE3TR-ND - テープ&リール(TR) SI4599DY-T1-GE3CT-ND - カット テープ(CT) SI4599DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SI4599DY-T1-GE3 |
商品概要 | MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC |
メーカーの標準リードタイム | 15 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 40V 6.8A、5.8A 3W、3.1W 面実装 8-SOIC |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SI4599DY-T1-GE3 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | Vishay Siliconix | |
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | NおよびPチャンネル | |
FET機能 | 論理レベルゲート | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 40V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 6.8A、5.8A | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 35.5ミリオーム @ 5A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 3V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 20nC @ 10V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 640pF @ 20V | |
電力 - 最大 | 3W、3.1W | |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
ベース品番 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥207.00000 | ¥207 |
| 10 | ¥130.70000 | ¥1,307 |
| 100 | ¥86.36000 | ¥8,636 |
| 500 | ¥67.28600 | ¥33,643 |
| 1,000 | ¥61.14600 | ¥61,146 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 2,500 | ¥54.49640 | ¥136,241 |
| 5,000 | ¥50.38600 | ¥251,930 |
| 7,500 | ¥48.29240 | ¥362,193 |
| 12,500 | ¥46.17784 | ¥577,223 |
| 単価(消費税抜き): | ¥207.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥227.70000 |


