Name: SI4477DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4477DY-T1-GE3TR-ND
Price: 353.1 JPY
Availability: InStock

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SI4477DY-T1-GE3
DigiKey製品番号	SI4477DY-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI4477DY-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SI4477DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI4477DY-T1-GE3
商品概要	MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 20 V 26.6A（Tc） 3W（Ta）、6.6W（Tc）面実装 8-SOIC
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	26.6A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	2.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	6.2ミリオーム @ 18A、4.5V
Id印加時のVgs（th）（最大）	1.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	190 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±12V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	4600 pF @ 10 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3W（Ta）、6.6W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOIC
パッケージ/ケース	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
ベース品番	SI4477