Name: SI4459BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4459BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 376.2 JPY
Availability: InStock

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SI4459BDY-T1-GE3
DigiKey製品番号	SI4459BDY-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI4459BDY-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SI4459BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI4459BDY-T1-GE3
商品概要	MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 30 V 20.5A（Ta）、27.8A（Tc） 3.1W（Ta）、5.6W（Tc）面実装 8-SO
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI4459BDY-T1-GE3 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.2V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 84 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET® Gen IV	Vgs（最大） +20V、-16V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3490 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.1W（Ta）、5.6W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 20.5A（Ta）、27.8A（Tc）	パッケージ/ケース 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SI4459
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4.9ミリオーム @ 15A、10V