Name: SI4435FDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4435FDY-T1-GE3TR-ND
Price: 143 JPY
Availability: InStock

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SI4435FDY-T1-GE3
DigiKey製品番号	SI4435FDY-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI4435FDY-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SI4435FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI4435FDY-T1-GE3
商品概要	MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
メーカーの標準リードタイム	22 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 30 V 12.6A（Tc） 4.8W（Tc）面実装 8-SOIC
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI4435FDY-T1-GE3 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.2V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 42 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET® Gen III	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1500 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 4.8W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 12.6A（Tc）	パッケージ/ケース 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SI4435
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 19ミリオーム @ 9A、10V