
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
SI4214DDY-T1-GE3 | |
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DigiKey製品番号 | SI4214DDY-T1-GE3TR-ND - テープ&リール(TR) SI4214DDY-T1-GE3CT-ND - カット テープ(CT) SI4214DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SI4214DDY-T1-GE3 |
商品概要 | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC |
メーカーの標準リードタイム | 19 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 30V 8.5A 3.1W 面実装 8-SOIC |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SI4214DDY-T1-GE3 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | Vishay Siliconix | |
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | 2 Nチャンネル(デュアル) | |
FET機能 | 論理レベルゲート | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 30V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 8.5A | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 19.5ミリオーム @ 8A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 22nC @ 10V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 660pF @ 15V | |
電力 - 最大 | 3.1W | |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
ベース品番 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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1 | ¥143.00000 | ¥143 |
10 | ¥98.50000 | ¥985 |
100 | ¥67.33000 | ¥6,733 |
500 | ¥53.49600 | ¥26,748 |
1,000 | ¥48.42700 | ¥48,427 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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2,500 | ¥43.17680 | ¥107,942 |
5,000 | ¥39.53980 | ¥197,699 |
7,500 | ¥37.80080 | ¥283,506 |
12,500 | ¥35.86696 | ¥448,337 |
17,500 | ¥34.79303 | ¥608,878 |
単価(消費税抜き): | ¥143.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥157.30000 |