Name: SI3429EDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3429EDV-T1-GE3TR-ND
Price: 138.6 JPY
Availability: InStock

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SI3429EDV-T1-GE3
DigiKey製品番号	SI3429EDV-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI3429EDV-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SI3429EDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI3429EDV-T1-GE3
商品概要	MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
メーカーの標準リードタイム	38 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 20 V 8A（Ta）、8A（Tc） 4.2W（Tc）面実装 6-TSOP
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI3429EDV-T1-GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 1V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 118 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±8V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4085 pF @ 50 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 4.2W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 20 V	サプライヤデバイスパッケージ 6-TSOP
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 8A（Ta）、8A（Tc）	パッケージ/ケース SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V、4.5V	ベース品番 SI3429
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 21ミリオーム @ 4A、4.5V

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関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
RQ5P010SNTL	Rohm Semiconductor	8,908	RQ5P010SNTLCT-ND	¥165.00000	類似
RQ6A045APTCR	Rohm Semiconductor	2,507	RQ6A045APTCRCT-ND	¥168.00000	類似
RQ6A050ZPTR	Rohm Semiconductor	4,423	RQ6A050ZPCT-ND	¥238.00000	類似
RQ6C050UNTR	Rohm Semiconductor	15,784	RQ6C050UNCT-ND	¥138.00000	類似
TSM260P02CX6 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	10,331	TSM260P02CX6RFGCT-ND	¥158.00000	類似