Name: SI2399DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2399DS-T1-GE3TR-ND
Price: 149.6 JPY
Availability: InStock

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SI2399DS-T1-GE3
DigiKey製品番号	SI2399DS-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI2399DS-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SI2399DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI2399DS-T1-GE3
商品概要	MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
メーカーの標準リードタイム	38 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 20 V 6A（Tc） 2.5W（Tc）面実装 SOT-23-3（TO-236）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI2399DS-T1-GE3 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 1.5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 20 nC @ 4.5 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±12V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 835 pF @ 10 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 2.5W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 20 V	サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3（TO-236）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 6A（Tc）	パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V、10V	ベース品番 SI2399
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 34ミリオーム @ 5.1A、10V