Name: SI2356DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2356DS-T1-BE3TR-ND
Price: 104.5 JPY
Availability: InStock

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SI2356DS-T1-BE3
DigiKey製品番号	742-SI2356DS-T1-BE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SI2356DS-T1-BE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SI2356DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI2356DS-T1-BE3
商品概要	N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
メーカーの標準リードタイム	38 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 40 V 3.2A（Ta）、4.3A（Tc） 960mW（Ta）、1.7W（Tc）面実装 SOT-23-3（TO-236）
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 1.5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 13 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±12V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 370 pF @ 20 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 960mW（Ta）、1.7W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 40 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 3.2A（Ta）、4.3A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3（TO-236）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V、10V	パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 51ミリオーム @ 3.2A、10V