Name: SI2309CDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2309CDS-T1-BE3TR-ND
Price: 159.5 JPY
Availability: InStock

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SI2309CDS-T1-BE3
DigiKey製品番号	742-SI2309CDS-T1-BE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SI2309CDS-T1-BE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SI2309CDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI2309CDS-T1-BE3
商品概要	P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
メーカーの標準リードタイム	63 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 1.2A（Ta）、1.6A（Tc） 1W（Ta）、1.7W（Tc）面実装 SOT-23-3（TO-236）
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 4.1 nC @ 4.5 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 210 pF @ 30 V
FETタイプ Pチャンネル	電力散逸（最大） 1W（Ta）、1.7W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 1.2A（Ta）、1.6A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3（TO-236）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 345ミリオーム @ 1.25A、10V