Name: SI2308CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2308CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 100.1 JPY
Availability: InStock

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SI2308CDS-T1-GE3
DigiKey製品番号	SI2308CDS-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI2308CDS-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SI2308CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI2308CDS-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 2.6A（Tc） 1.6W（Tc）面実装 SOT-23-3（TO-236）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI2308CDS-T1-GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 4 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET® Gen IV	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 105 pF @ 30 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 1.6W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3（TO-236）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 2.6A（Tc）	パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SI2308
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 144ミリオーム @ 1.9A、10V

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関連リソース

代替品リスト（4）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
RQ5L015SPTL	Rohm Semiconductor	2,685	RQ5L015SPTLCT-ND	¥133.00000	類似
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TSM850N06CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	132	TSM850N06CXRFGCT-ND	¥113.00000	類似