Name: SI2122DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2122DS-T1-BE3TR-ND
Price: 19.53839 JPY
Availability: OutOfStock

SI2122DS-T1-BE3 は購入可能ですが、通常は在庫がありません。

購入可能な代替品:

パラメータ等価

Vishay Siliconix

在庫あり: 0

単価 : ¥27.94717

DigiKeyに新登場

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SI2122DS-T1-BE3
DigiKey製品番号	742-SI2122DS-T1-BE3TR-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI2122DS-T1-BE3
商品概要	N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 1.65A（Ta）、2.17A（Tc） 960mW （Ta）、1.6W（Tc）面実装 SOT-23-3（TO-236）
データシート	データシート

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 160ミリオーム @ 2.5A、10V
メーカー Vishay Siliconix	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
シリーズ TrenchFET®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 6 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 210 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 960mW （Ta）、1.6W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 1.65A（Ta）、2.17A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3（TO-236）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 7.5V、10V	パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

関連リソース

代替品リスト（1）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
SI2122DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	0	742-SI2122DS-T1-GE3TR-ND	¥27.94717	パラメータ等価

受注発注品

リードタイムを確認

この製品は、DigiKeyで在庫を保有していません。表示されるリードタイムはメーカーからDigiKeyへの出荷にかかる時間です。DigiKeyは、製品が入庫次第、未出荷の注文を出荷します。

数量

価格はすべてJPYです

テープ＆リール（TR）

数量	単価	請求価格
6,000	¥17.76217	¥106,573

単価（消費税抜き）:	¥17.76217
単価（消費税込み）:	¥19.53839

SI2122DS-T1-BE3