SI1071X-T1-E3 Vishay Siliconix | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 1.45V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 13.3 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±12V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 315 pF @ 15 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 236mW（Ta）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ SC-89（SOT-563F）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 960mA（Ta）	パッケージ/ケース SOT-563、SOT-666
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V、10V	ベース品番 SI1071
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 167ミリオーム @ 960mA、10V

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SI1071X-T1-E3