MXP120A250FW-GE3 Vishay Siliconix | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 313ミリオーム @ 4A、20V
メーカー Vishay Siliconix	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.1V @ 10mA
シリーズ MaxSiC™	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 20.3 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +22V、-10V
部品状況生産中止品	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 447 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 56W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 10.5A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3L
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V、20V	パッケージ/ケース TO-247-3

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