カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 84 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±30V
部品状況生産中止品	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2300 pF @ 25 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 190W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247AC
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 600ミリオーム @ 6.6A、10V	ベース品番 IRFPC50

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IRFPC60PBF	Vishay Siliconix	203	IRFPC60PBF-ND	¥1,690.00000	メーカー推奨品
APT11N80BC3G	Microchip Technology	88	APT11N80BC3G-ND	¥751.00000	類似
IXFH14N60P	IXYS	0	IXFH14N60P-ND	¥1,338.00000	類似
IXFH16N80P	IXYS	477	IXFH16N80P-ND	¥2,003.00000	類似
IXFH20N80P	IXYS	0	IXFH20N80P-ND	¥2,208.00000	類似

IRFPC50LCPBF