Name: IRF9Z24PBF-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-IRF9Z24PBF-BE3-ND
Price: 524.7 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 19 nC @ 10 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 570 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 60W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 280ミリオーム @ 6.6A、10V	ベース品番 IRF9Z24
Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA

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単価（消費税抜き）:	¥477.00000
単価（消費税込み）:	¥524.70000

IRF9Z24PBF-BE3