Name: IRF630STRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF630STRLPBFTR-ND
Price: 475.2 JPY
Availability: InStock

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IRF630STRLPBF
DigiKey製品番号	IRF630STRLPBFTR-ND - テープ＆リール（TR） IRF630STRLPBFCT-ND - カットテープ（CT） IRF630STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	IRF630STRLPBF
商品概要	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	78 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 200 V 9A（Tc） 3W（Ta）、74W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IRF630STRLPBF モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 43 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 800 pF @ 25 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 3W（Ta）、74W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 200 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 9A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 400ミリオーム @ 5.4A、10V	ベース品番 IRF630