Name: XPW6R30ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPW6R30ANBL1XHQTR-ND
Price: 480.7 JPY
Availability: InStock

Nチャンネル 100 V 45A（Ta） 960mW（Ta）、132W（Tc）面実装 8-DSOP Advance

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XPW6R30ANB,L1XHQ
DigiKey製品番号	264-XPW6R30ANBL1XHQTR-ND - テープ＆リール（TR） 264-XPW6R30ANBL1XHQCT-ND - カットテープ（CT） 264-XPW6R30ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	XPW6R30ANB,L1XHQ
商品概要	MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
メーカーの標準リードタイム	32 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 45A（Ta） 960mW（Ta）、132W（Tc）面実装 8-DSOP Advance
データシート	データシート
EDA/CADモデル	XPW6R30ANB,L1XHQ モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSVIII-H
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	45A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	6.3ミリオーム @ 22.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 500µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	52 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	3240 pF @ 10 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	960mW（Ta）、132W（Tc）
動作温度	175°C
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-DSOP Advance
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
ベース品番	XPW6R30