Name: XPH4R10ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND
Price: 451 JPY
Availability: InStock

Nチャンネル 100 V 70A（Ta） 960mW（Ta）、170W（Tc）面実装 8-SOP Advance（5x5）

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

XPH4R10ANB,L1XHQ
DigiKey製品番号	264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND - テープ＆リール（TR） 264-XPH4R10ANBL1XHQCT-ND - カットテープ（CT） 264-XPH4R10ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	XPH4R10ANB,L1XHQ
商品概要	MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 70A（Ta） 960mW（Ta）、170W（Tc）面実装 8-SOP Advance（5x5）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	XPH4R10ANB,L1XHQ モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 75 nC @ 10 V
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs（最大） ±20V
シリーズ U-MOSVIII-H	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4970 pF @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 960mW（Ta）、170W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 175°C
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 70A（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP Advance（5x5）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4.1ミリオーム @ 35A、10V	ベース品番 XPH4R10
Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 1mA