Name: XK1R9F10QB,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND
Price: 897.6 JPY
Availability: InStock

Nチャンネル 100 V 160A（Ta） 375W（Tc）面実装 TO-220SM（W）

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XK1R9F10QB,LXGQ
DigiKey製品番号	264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND - テープ＆リール（TR） 264-XK1R9F10QBLXGQCT-ND - カットテープ（CT） 264-XK1R9F10QBLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	XK1R9F10QB,LXGQ
商品概要	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
メーカーの標準リードタイム	32 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 160A（Ta） 375W（Tc）面実装 TO-220SM（W）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	XK1R9F10QB,LXGQ モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSX-H
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	160A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	1.92ミリオーム @ 80A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	184 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	11500 pF @ 10 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	375W（Tc）
動作温度	175°C
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220SM（W）
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	XK1R9F10