Name: TW083Z65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083Z65C,S1F-ND
Price: 2721.4 JPY
Availability: InStock

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TW083Z65C,S1F
DigiKey製品番号	264-TW083Z65C,S1F-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TW083Z65C,S1F
商品概要	G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 30A（Tc） 111W（Tc）スルーホール TO-247-4L（X）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	-
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	30A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	18V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	118ミリオーム @ 15A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5V @ 600µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	28 nC @ 18 V
Vgs（最大）	+25V、-10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	873 pF @ 400 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	111W（Tc）
動作温度	175°C
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247-4L（X）
パッケージ/ケース	TO-247-4