Name: TW083N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083N65CS1F-ND
Price: 3283.5 JPY
Availability: OutOfStock

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TW083N65C,S1F
DigiKey製品番号	264-TW083N65CS1F-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TW083N65C,S1F
商品概要	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 30A（Tc） 111W（Tc）スルーホール TO-247
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 600µA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 28 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +25V、-10V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 873 pF @ 400 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 111W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 175°C
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 30A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 113ミリオーム @ 15A、18V