Name: TPW4R50ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW4R50ANHL1QTR-ND
Price: 684.2 JPY
Availability: InStock

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TPW4R50ANH,L1Q
DigiKey製品番号	TPW4R50ANHL1QTR-ND - テープ＆リール（TR） TPW4R50ANHL1QCT-ND - カットテープ（CT） TPW4R50ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TPW4R50ANH,L1Q
商品概要	MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 92A（Tc） 800mW（Ta）、142W（Tc）面実装 8-DSOP Advance
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TPW4R50ANH,L1Q モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 1mA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 58 nC @ 10 V
シリーズ U-MOSVIII-H	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 5200 pF @ 50 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 800mW（Ta）、142W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ 8-DSOP Advance
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 92A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 TPW4R50
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4.5ミリオーム @ 46A、 10V