Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 715 JPY
Availability: OutOfStock

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TPW1R306PL,L1Q
DigiKey製品番号	TPW1R306PLL1QTR-ND - テープ＆リール（TR） TPW1R306PLL1QCT-ND - カットテープ（CT） TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TPW1R306PL,L1Q
商品概要	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 260A（Tc） 960mW（Ta）、170W（Tc）面実装 8-DSOP Advance
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TPW1R306PL,L1Q モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 1mA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 91 nC @ 10 V
シリーズ U-MOSIX-H	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 8100 pF @ 30 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 960mW（Ta）、170W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 175°C
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ 8-DSOP Advance
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 260A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 TPW1R306
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.29ミリオーム @ 50A、10V