Name: TPN7R506NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN7R506NHL1QTR-ND
Price: 303.6 JPY
Availability: InStock

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TPN7R506NH,L1Q
DigiKey製品番号	TPN7R506NHL1QTR-ND - テープ＆リール（TR） TPN7R506NHL1QCT-ND - カットテープ（CT） TPN7R506NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TPN7R506NH,L1Q
商品概要	MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 26A（Tc） 700mW（Ta）、42W（Tc）面実装 8-TSON Advance（3.1x3.1）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TPN7R506NH,L1Q モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 200µA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 22 nC @ 10 V
シリーズ U-MOSVIII-H	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1800 pF @ 30 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 700mW（Ta）、42W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ 8-TSON Advance（3.1x3.1）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 26A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6.5V、10V	ベース品番 TPN7R506
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 7.5ミリオーム @ 13A、10V

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テープ＆リール（TR）

メーカーの標準パッケージ

カットテープ（CT）

Digi-Reel®

*すべてのDigi-Reelのご注文には、リール料金（¥800）が追加されます。

単価（消費税抜き）:	¥276.00000
単価（消費税込み）:	¥303.60000

TPN7R506NH,L1Q