Nチャンネル 30 V 40A（Tc） 700mW（Ta）、34W（Tc） 面実装 8-TSON Advance（3.1x3.1）
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なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
Nチャンネル 30 V 40A（Tc） 700mW（Ta）、34W（Tc） 面実装 8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN,-8-TSON

TPN4R303NL,L1Q

DigiKey製品番号
264-TPN4R303NL,L1QTR-ND - テープ＆リール（TR）
264-TPN4R303NL,L1QCT-ND - カット テープ（CT）
264-TPN4R303NL,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号
TPN4R303NL,L1Q
商品概要
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
メーカーの標準リードタイム
16 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 30 V 40A（Tc） 700mW（Ta）、34W（Tc） 面実装 8-TSON Advance（3.1x3.1）
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
TPN4R303NL,L1Q モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ
U-MOSVIII-H
梱包形態
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
40A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
4.3ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2.3V @ 200µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
14.8 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
1400 pF @ 15 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
700mW（Ta）、34W（Tc）
動作温度
150°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
8-TSON Advance（3.1x3.1）
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN
ベース品番
TPN4R303
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在庫：4,760個
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カット テープ（CT） & Digi-Reel®
数量 単価 請求価格
1¥251.00000¥251
10¥158.00000¥1,580
100¥105.40000¥10,540
500¥82.78200¥41,391
1,000¥75.50200¥75,502
2,000¥72.98650¥145,973
*すべてのDigi-Reelのご注文には、リール料金（¥800）が追加されます。
テープ＆リール（TR）
数量 単価 請求価格
5,000¥60.87000¥304,350
10,000¥59.62960¥596,296
メーカーの標準パッケージ
単価（消費税抜き）:¥251.00000
単価（消費税込み）:¥276.10000