Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 435.6 JPY
Availability: InStock

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TPN1110ENH,L1Q
DigiKey製品番号	TPN1110ENHL1QTR-ND - テープ＆リール（TR） TPN1110ENHL1QCT-ND - カットテープ（CT） TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TPN1110ENH,L1Q
商品概要	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 200 V 7.2A（Ta） 700mW（Ta）、39W（Tc）面実装 8-TSON Advance（3.1x3.1）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TPN1110ENH,L1Q モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 200µA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 7 nC @ 10 V
シリーズ U-MOSVIII-H	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 600 pF @ 100 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 700mW（Ta）、39W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 200 V	サプライヤデバイスパッケージ 8-TSON Advance（3.1x3.1）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 7.2A（Ta）	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 TPN1110
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 114ミリオーム @ 3.6A、10V