Name: TPM7R10CQ5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM7R10CQ5LQTR-ND
Price: 731.5 JPY
Availability: InStock

新製品

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

TPM7R10CQ5,LQ
DigiKey製品番号	264-TPM7R10CQ5LQTR-ND - テープ＆リール（TR） 264-TPM7R10CQ5LQCT-ND - カットテープ（CT） 264-TPM7R10CQ5LQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TPM7R10CQ5,LQ
商品概要	N-CH MOSFET, 150 V, 0.0071 @10V,
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 150 V 13A（Ta）、120A（Tc） 3W（Ta）、250W（Tc）面実装 8-SOP Advance（4.9x5.75）
データシート	データシート

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 7.1ミリオーム @ 35A、10V
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 1.2mA
シリーズ U-MOSX-H	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 57 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6800 pF @ 75 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 3W（Ta）、250W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 175°C
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 150 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 13A（Ta）、120A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP Advance（4.9x5.75）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 8V、10V	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN