Name: TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R10AQMLQTR-ND
Price: 425.7 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

TPH3R10AQM,LQ
DigiKey製品番号	264-TPH3R10AQMLQTR-ND - テープ＆リール（TR） 264-TPH3R10AQMLQCT-ND - カットテープ（CT） 264-TPH3R10AQMLQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TPH3R10AQM,LQ
商品概要	100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 120A（Tc） 210W（Tc）面実装 8-SOP Advance（5x5.75）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TPH3R10AQM,LQ モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	120A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	3.1ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 500µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	83 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	7400 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	210W（Tc）
動作温度	175°C
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOP Advance（5x5.75）
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
ベース品番	TPH3R10