Name: TPH1R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1R712MDL1QTR-ND
Price: 397.1 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

TPH1R712MD,L1Q
DigiKey製品番号	TPH1R712MDL1QTR-ND - テープ＆リール（TR） TPH1R712MDL1QCT-ND - カットテープ（CT） TPH1R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TPH1R712MD,L1Q
商品概要	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 20 V 60A（Tc） 78W（Tc）面実装 8-SOP Advance（5x5）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TPH1R712MD,L1Q モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 1.2V @ 1mA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 182 nC @ 5 V
シリーズ U-MOSVI	Vgs（最大） ±12V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 10900 pF @ 10 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 78W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 20 V	サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP Advance（5x5）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 60A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V、4.5V	ベース品番 TPH1R712
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.7ミリオーム @ 30A、4.5V