Name: TK7S10N1Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK7S10N1ZLQTR-ND
Price: 358.6 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

TK7S10N1Z,LQ
DigiKey製品番号	TK7S10N1ZLQTR-ND - テープ＆リール（TR） TK7S10N1ZLQCT-ND - カットテープ（CT） TK7S10N1ZLQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK7S10N1Z,LQ
商品概要	MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 7A（Ta） 50W（Tc）面実装 DPAK+
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK7S10N1Z,LQ モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSVIII-H
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	7A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	48ミリオーム @ 3.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 100µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	7.1 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	470 pF @ 10 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	50W（Tc）
動作温度	175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	DPAK+
パッケージ/ケース	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
ベース品番	TK7S10