Name: TK6R9P08QM,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK6R9P08QMRQTR-ND
Price: 347.6 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

TK6R9P08QM,RQ
DigiKey製品番号	264-TK6R9P08QMRQTR-ND - テープ＆リール（TR） 264-TK6R9P08QMRQCT-ND - カットテープ（CT） 264-TK6R9P08QMRQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK6R9P08QM,RQ
商品概要	UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 62A（Tc） 89W（Tc）面実装 DPAK
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK6R9P08QM,RQ モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSX-H
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	62A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	6.9ミリオーム @ 31A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 500µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	39 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2700 pF @ 40 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	89W（Tc）
動作温度	175°C
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	DPAK
パッケージ/ケース	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63