Name: TK6A65D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK6A65D(STA4QM)-ND
Price: 522.5 JPY
Availability: InStock

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TK6A65D(STA4,Q,M)
DigiKey製品番号	TK6A65D(STA4QM)-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK6A65D(STA4,Q,M)
商品概要	MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 6A（Ta） 45W（Tc）スルーホール TO-220SIS
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK6A65D(STA4,Q,M) モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 1mA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 20 nC @ 10 V
シリーズ π-MOSVII	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1050 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 45W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220SIS
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 6A（Ta）	パッケージ/ケース TO-220-3フルパッッケージ
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 TK6A65
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.11オーム @ 3A、10V

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