TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage | ディスクリート半導体製品

TK65G10N1,RQ
DigiKey製品番号	TK65G10N1RQTR-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK65G10N1,RQ
商品概要	MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 65A（Ta） 156W（Tc）面実装 D2PAK
EDA/CADモデル	TK65G10N1,RQ モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSVIII-H
梱包形態	テープ＆リール（TR）
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	65A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	4.5ミリオーム @ 32.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	81 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	5400 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	156W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	TK65G10