Name: TK40E10N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK40E10N1S1X-ND
Price: 627 JPY
Availability: InStock

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TK40E10N1,S1X
DigiKey製品番号	TK40E10N1S1X-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK40E10N1,S1X
商品概要	MOSFET N CH 100V 90A TO220
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 90A（Tc） 126W（Tc）スルーホール TO-220
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK40E10N1,S1X モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 500µA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 49 nC @ 10 V
シリーズ U-MOSVIII-H	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3000 pF @ 50 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 126W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 90A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 TK40E10
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 8.2ミリオーム @ 20A、10V

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関連リソース

代替品リスト（4）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
PSMN8R7-80PS,127	Nexperia USA Inc.	8	1727-5898-ND	¥502.00000	類似
SQP120N10-09_GE3	Vishay Siliconix	213	SQP120N10-09_GE3-ND	¥651.00000	類似
STP100N10F7	STMicroelectronics	1,189	497-13550-5-ND	¥479.00000	類似
SUP85N10-10-E3	Vishay Siliconix	993	SUP85N10-10-E3-ND	¥838.00000	類似

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注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。

単価（消費税抜き）:	¥570.00000
単価（消費税込み）:	¥627.00000

TK40E10N1,S1X