Name: TK39N60W,S1VF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK39N60WS1VF-ND
Price: 1444.3 JPY
Availability: OutOfStock

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TK39N60W,S1VF
DigiKey製品番号	TK39N60WS1VF-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK39N60W,S1VF
商品概要	MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 38.8A（Ta） 270W（Tc）スルーホール TO-247
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK39N60W,S1VF モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.7V @ 1.9mA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 110 nC @ 10 V
シリーズ DTMOSIV	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4100 pF @ 300 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 270W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-247
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 38.8A（Ta）	パッケージ/ケース TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 TK39N60
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 65ミリオーム @ 19.4A、10V

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品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
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単価（消費税抜き）:	¥1,313.00000
単価（消費税込み）:	¥1,444.30000

TK39N60W,S1VF