Name: TK31V60W5,LVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60W5LVQTR-ND
Price: 1083.5 JPY
Availability: InStock

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タシートを参照ください。

TK31V60W5,LVQ
DigiKey製品番号	TK31V60W5LVQTR-ND - テープ＆リール（TR） TK31V60W5LVQCT-ND - カットテープ（CT） TK31V60W5LVQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK31V60W5,LVQ
商品概要	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 30.8A（Ta） 240W（Tc）面実装 4-DFN-EP（8x8）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK31V60W5,LVQ モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	DTMOSIV
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	30.8A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	109ミリオーム @ 15.4A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4.5V @ 1.5mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	105 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	3000 pF @ 300 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	240W（Tc）
動作温度	150°C（TA）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	4-DFN-EP（8x8）
パッケージ/ケース	4-VSFN露出パッド
ベース品番	TK31V60