Name: TK20G60W,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK20G60WRVQTR-ND
Price: 826.1 JPY
Availability: InStock

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タシートを参照ください。

TK20G60W,RVQ
DigiKey製品番号	TK20G60WRVQTR-ND - テープ＆リール（TR） TK20G60WRVQCT-ND - カットテープ（CT） TK20G60WRVQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK20G60W,RVQ
商品概要	MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 20A（Ta） 165W（Tc）面実装 D2PAK
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK20G60W,RVQ モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.7V @ 1mA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 48 nC @ 10 V
シリーズ DTMOSIV	Vgs（最大） ±30V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1680 pF @ 300 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 165W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 20A（Ta）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 TK20G60
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 155ミリオーム @ 10A、10V

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関連リソース

代替品リスト（4）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
STB26NM60N	STMicroelectronics	1,777	497-10985-1-ND	¥1,398.00000	類似
STB28N60DM2	STMicroelectronics	357	497-16349-1-ND	¥761.00000	類似
STB28NM60ND	STMicroelectronics	1,427	497-14238-1-ND	¥1,246.00000	類似
STB30N80K5	STMicroelectronics	972	497-STB30N80K5CT-ND	¥1,419.00000	類似