Name: TK190E65Z,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK190E65ZS1X-ND
Price: 866.8 JPY
Availability: InStock

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TK190E65Z,S1X
DigiKey製品番号	264-TK190E65ZS1X-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK190E65Z,S1X
商品概要	650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 15A（Ta） 130W（Tc）スルーホール TO-220
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 610µA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 25 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±30V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1370 pF @ 300 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 130W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 150°C
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 15A（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ TO-220
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-220-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 190ミリオーム @ 7.5A、10V

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単価（消費税抜き）:	¥788.00000
単価（消費税込み）:	¥866.80000

TK190E65Z,S1X