Name: TK12A60D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12A60D(STA4QM)-ND
Price: 634.7 JPY
Availability: InStock

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タシートを参照ください。

TK12A60D(STA4,Q,M)
DigiKey製品番号	TK12A60D(STA4QM)-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK12A60D(STA4,Q,M)
商品概要	MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 12A（Ta） 45W（Tc）スルーホール TO-220SIS
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	π-MOSVII
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	12A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	550ミリオーム @ 6A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	38 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1800 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	45W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220SIS
パッケージ/ケース	TO-220-3フルパッッケージ
ベース品番	TK12A60