Name: TK11P65W,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK11P65W,RQTR-ND
Price: 629.2 JPY
Availability: InStock

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TK11P65W,RQ
DigiKey製品番号	264-TK11P65W,RQTR-ND - テープ＆リール（TR） 264-TK11P65W,RQCT-ND - カットテープ（CT） 264-TK11P65W,RQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK11P65W,RQ
商品概要	MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 11.1A（Ta） 100W（Tc）面実装 DPAK
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK11P65W,RQ モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 450µA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 25 nC @ 10 V
シリーズ DTMOSIV	Vgs（最大） ±30V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 890 pF @ 300 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 100W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ DPAK
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11.1A（Ta）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 TK11P65
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 440ミリオーム @ 5.5A、10V

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関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
FCD7N60TM	onsemi	14,058	FCD7N60TMCT-ND	¥567.00000	類似
IPD60R600P7SAUMA1	Infineon Technologies	36,202	IPD60R600P7SAUMA1CT-ND	¥226.00000	類似
IXFY8N65X2	IXYS	44	IXFY8N65X2-ND	¥713.00000	類似
SPD07N60C3ATMA1	Infineon Technologies	2,191	448-SPD07N60C3ATMA1CT-ND	¥587.00000	類似
STD11N65M5	STMicroelectronics	2,388	497-12935-1-ND	¥447.00000	類似