Name: TK100L60W,VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK100L60WVQ-ND
Price: 6493.3 JPY
Availability: InStock

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TK100L60W,VQ
DigiKey製品番号	TK100L60WVQ-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK100L60W,VQ
商品概要	MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 100A（Tc） 797W（Tc）スルーホール TO-3P（L）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK100L60W,VQ モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.7V @ 5mA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 360 nC @ 10 V
シリーズ DTMOSIV	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 15000 pF @ 30 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 797W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-3P（L）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 100A（Tc）	パッケージ/ケース TO-3PL
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 TK100L60
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 18ミリオーム @ 50A、10V